电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。超过此值时稳压管会因为结温度过高而损坏。温度系数α：表示电流不变时，温度每变化1℃稳压值的变化量，即α=△U/△T。可见，在Vcc的作用下，漂移运动形成集电极电流Ic。如涉及版权或对版权有所疑问，请第一时间与我们联系，感谢。
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导体：容易导电的物体。如：铁、铜等等；绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等等；半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。半导体的电阻率为10-3～109Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
01
导体导电和本征半导体导电的区别
导体导电只有一种载流子：自由电子导电
半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电
自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。
02
本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。
03
杂质半导体
（1）N型半导体——掺入五价元素
（2）P型半导体——掺入三价元素
04
PN结——P型半导体和N型半导体的交界面
在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层
反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压
05
PN结的单向导电性——外加电压
正向偏置
反向偏置
06
二极管的结构、特性及主要参数
（1）P区引出的电极——阳极；N区引出的电极——阴极
温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。
其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压——0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流<0.1μA，锗的开启电压——0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十μA。
（2）主要参数
最大整流电流I：最大正向平均电流
最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半
反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感
最高工作频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性
07
稳压二极管
在反向击穿时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。
（1）稳压管的伏安特性
（2）主要参数
稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压
稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。
【附加】限流电阻：由于稳压管的反向电流小于I时不稳定，大于最大稳定电流时会因超过额定功率而烧坏，故要串联一个限流电阻保证稳压管正常工作。
额定功率P：等于稳定电压U与最大稳定电流I的乘积。超过此值时稳压管会因为结温度过高而损坏。
动态电阻r：在稳压区，端电压变化量与电流变化量之比。r越小，说明电流变化时稳定电压的变化越小，稳压特性越好。
温度系数α：表示电流不变时，温度每变化1℃稳压值的变化量，即α=△U/△T。
U<4V时，α为负值，即温度升高时稳定电压值下降；
U>7V时，α为正值，即温度升高时稳定电压值上升；
4<U<7V时，α很小，近似为零，性能稳定。
08
双极型晶体管——晶体三极管——半导体三极管——晶体管的结构、特性及主要参数
（1）主要以NPN型硅管为例讲解放大作用、特性曲线和主要参数
放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化量。
Ie：发射区杂质浓度高，基区杂质浓度低，大量自由电子越过发射结到达基区。
Ib：基区很薄，杂质浓度低
Ic：集电结外加反向电压且结面积较大，基区的非平衡少子越过集电结到达集电区，形成漂移电流。可见，在Vcc的作用下，漂移运动形成集电极电流Ic。
（2）特性曲线
（3）主要参数
直流参数
①共射直流电流系数β
②共基直流电流放大系数α
③极间反向电流——硅管的温度稳定性比锗管的好
发射极开路时集电结的反向饱和电流——Icbo
基极开路时集电极与发射极间的穿透电流——Iceo
交流参数
①共射交流电流系数β
②共基交流电流放大系数α
③特征频率fT——使β下降到1的信号频率称为特征频率
极限参数——为使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率耗损的限制
①最大集电极耗散功率P——是一个确定的值决定于晶体管的温升。P=iu=常数
②最大集电极电流I使β明显减小的i即为I
③极间反向击穿电压
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